HXY MOSFET HC1M60120D دیتاشیت

HXY MOSFET HC1M60120D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY MOSFET HC1M60120D
حجم فایل 67.829 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت HXY MOSFET HC1M60120D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • RDS(on): -
  • Configuration: -
  • Gate Charge(Qg): 42nC
  • Ciss-Input Capacitance: 940pF
  • Pd - Power Dissipation: 214W
  • Drain to Source Voltage: 1.2kV
  • Operating Temperature -: -55℃~+175℃
  • Output Capacitance(Coss): 59pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3.6V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 4.1pF
  • Package: TO-247

محصولات مشابه